钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

200910051651.2

申请日期:

20090521

第一发明人:

曾江涛、李国荣、郑嘹赢、张望重、张阳红、殷庆瑞

其他发明人:

专利授权日期:

20130313