电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控

专利类别:

发明

专利（申请）号:

200910048823.0

申请日期:

20090403

第一发明人:

李效民、杨蕊、于伟东、刘新军、曹逊、王群、张亦文、杨长

其他发明人:

专利授权日期:

20130102