一种Ti3SiC2基粉体的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种Ti3SiC2基粉体的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

200910198406.4

申请日期:

20091106

第一发明人:

杨金山、董绍明、丁玉生、王震、周海军

其他发明人:

专利授权日期:

20130106