一种坩埚下降法单晶生长炉及其应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种坩埚下降法单晶生长炉及其应用

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110054634.1

申请日期:

20110308

第一发明人:

李红军、胡克艳、徐军、郭鑫、苏良碧、陈伟超、钱小波、唐慧丽

其他发明人:

专利授权日期:

20130313