籽晶层辅助的高性能TiO2基透明导电薄膜及制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

籽晶层辅助的高性能TiO2基透明导电薄膜及制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110058098.2

申请日期:

20110310

第一发明人:

黄富强、万冬云

其他发明人:

专利授权日期:

20130313