一种弯曲形压电单晶片的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种弯曲形压电单晶片的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110283540.1

申请日期:

20110922

第一发明人:

罗豪甦、许春东、王东、任博、赵祥永、徐海清、林迪、王升、狄文宁、李晓兵、梁柱

其他发明人:

专利授权日期:

20130320