一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构

专利类别:

实用新型

专利（申请）号:

201220188163.3

申请日期:

20120428

第一发明人:

孔海宽、忻隽、陈建军、严成峰、刘熙、肖兵、杨建华、施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

20130102