阴阳离子共掺的n型氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

阴阳离子共掺的n型氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

200910195702.9

申请日期:

20090915

第一发明人:

黄富强、万冬云

其他发明人:

专利授权日期:

20130116