一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201010189011.0

申请日期:

20100531

第一发明人:

李玉臣、姚烈、董显林

其他发明人:

专利授权日期:

20130529