一种铋基硫族化合物热电薄膜的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种铋基硫族化合物热电薄膜的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201010231825.6

申请日期:

20100720

第一发明人:

陈立东、孙正亮、陈喜红、刘付胜聪

其他发明人:

专利授权日期:

20130717