介孔氧化钨/碳复合导电材料的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

介孔氧化钨/碳复合导电材料的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110359857.9

申请日期:

20111115

第一发明人:

崔香枝、施剑林

其他发明人:

专利授权日期:

20130814