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专利数据
专利名称:
High-Purity Tellurium Dioxide Single Crystal and Manufacturing Method Thereof
专利类别:
PCT美国
专利（申请）号:
US13262209 /US8480996
申请日期:
20110929
第一发明人:
葛增伟、朱勇、吴国庆、殷学技、唐林耀、赵寒冰、顾李臻
其他发明人:
专利授权日期:
20130709
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