一种半导体复合多孔壁二氧化钛空心球材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种半导体复合多孔壁二氧化钛空心球材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201010152118.8

申请日期:

20100421

第一发明人:

黄富强、吕旭杰

其他发明人:

专利授权日期:

20130814