低温气相还原的高导电石墨烯材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

低温气相还原的高导电石墨烯材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210019931.7

申请日期:

20120120

第一发明人:

万冬云、黄富强、杨重寅、林天全

其他发明人:

专利授权日期:

20130918