一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种基于氧化锌材料的电阻式RAM存储单元及制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201010619223.8

申请日期:

20101231

第一发明人:

李效民、张锋、于伟东、甘小燕、何邕、高相东、吴宪

其他发明人:

专利授权日期:

20130918