一种p型含铜硫透明导体薄膜的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种p型含铜硫透明导体薄膜的制备方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200710038809.3

申请日期:

2007-3-30

第一发明人:

黄富强

其他发明人:

专利授权日期: