一种锑化钴基热电器件的制造方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

一种锑化钴基热电器件的制造方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200710044771.0

申请日期:

2007-8-10

第一发明人:

陈立东

其他发明人:

专利授权日期: