一种低温下稳定的纯单斜氧化锆涂层、制备方法及应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种低温下稳定的纯单斜氧化锆涂层、制备方法及应用

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200710046705.7

申请日期:

2007-9-29

第一发明人:

王国成

其他发明人:

专利授权日期: