区熔生长的双层石英安瓿--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

区熔生长的双层石英安瓿

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200720066563.6

申请日期:

2007-1-23

第一发明人:

周燕飞

其他发明人:

专利授权日期: