氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200710047376.8

申请日期:

2007-10-24

第一发明人:

李效民

其他发明人:

专利授权日期: