四晶格位结构压电晶体--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

四晶格位结构压电晶体

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200710173620.5

申请日期:

2007-12-28

第一发明人:

郑燕青

其他发明人:

专利授权日期: