基于硅衬底的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

基于硅衬底的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200810034352.3

申请日期:

2008-3-7

第一发明人:

于伟东

其他发明人:

专利授权日期: