高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200810205229.3

申请日期:

2008-12-31

第一发明人:

张文斌

其他发明人:

专利授权日期: