一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200510110784.4

申请日期:

2005-11-25

第一发明人:

任国浩

其他发明人:

专利授权日期: