阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200510029744.7

申请日期:

2005-9-16

第一发明人:

严东生

其他发明人:

专利授权日期: