纳米氧化钇稳定的四方相氧化锆多晶材料的低温烧结方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

纳米氧化钇稳定的四方相氧化锆多晶材料的低温烧结方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

02110868.4

申请日期:

第一发明人:

孙义海

其他发明人:

专利授权日期: