坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅－钛酸铅单晶--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅－钛酸铅单晶

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

02145449.3

申请日期:

第一发明人:

郭益平

其他发明人:

专利授权日期: