一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

03141999.2

申请日期:

第一发明人:

葛增伟

其他发明人:

专利授权日期: