水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200410016144.2

申请日期:

第一发明人:

雒晓军

其他发明人:

专利授权日期: