坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200410089075.8

申请日期:

第一发明人:

郑燕青

其他发明人:

专利授权日期: