高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200610024146.5

申请日期:

第一发明人:

曾宇平

其他发明人:

专利授权日期: