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陈立东 研究员

学历:博士研究生

电话:021-69163505

电子邮件:cld@mail.sic.ac.cn

通讯地址:上海市嘉定区和硕路585号

邮政编码:201899

个人主页:https://www.webofscience.com/wos/author/record/22652

个人简历:

陈立东,中国科学院院士。2004年获国家杰出青年科学基金资助。陈立东研究员围绕热电材料与器件高性能化的关键科学问题,系统地开展了电热输运机理、可控制备与性能调控的研究,创新性地提出了通过多尺度微观结构设计引入电子与声子输运的选择性散射单元、实现电热输运协同调控和热电材料高性能化的学术思想。所开发的高性能热电材料与热电转换技术正在逐步应用于热电致冷与温控、热能高效回收利用、空间科学等技术领域。现任亚太材料科学院院士;《npj Computational Materials》联合主编。


主要研究方向:

热电能量转换材料设计与器件集成  


主要科研成果

近年承担主要项目:

1. 基金委重点项目“热电材料的多级功能基元序构及性能调控”,2020.1-2024.12  


近年代表性论著:

1. Zhen Xu, Zhongchao Zhou, Siyi Luo, Fei Zhong, Jian Song, Lidong Chen*, Hui Li*, “Regular backbone and random polar side chains for modulating carrier transport in diketopyrrolopyrrole-based thermoelectric copolymer”, Matter, 2026, 102701.

2. Zhiqiang Gao#, Shiqi Yang#, Yupeng Ma, Tianran Wei*, Xiaohui Chen, Wenwen Zheng, Pengfei Qiu, Xiaoqin Zeng, Lidong Chen*, Xun Shi*, “Warm metalworking for plastic manufacturing in brittle semiconductors”, Nature Materials, 2025, 24, 1538-1544.

3. Tingting Deng#, Zhiqiang Gao#, Ze Li#, Pengfei Qiu*, Zhi Li, Xinjie Yuan, Chen Ming, Tian-Ran Wei, Lidong Chen*, Xun Shi*, "Room-temperature exceptional plasticity in defective Bi2Te3-based bulk thermoelectric crystals”, Science, 2024, 386, 1112-1117.

4. Qingyu Yang #, Shiqi Yang#, Pengfei Qiu*, Liming Peng, Tian-Ran Wei, Zhen Zhang, Xun Shi*, Lidong Chen*, “Flexible thermoelectrics based on ductile semiconductors”, Science, 2022, 377, 854-858.  

5. Tian-Ran Wei#, Min Jin#, Yuecun Wang#, Hongyi Chen, Zhiqiang Gao, Kunpeng Zhao, Pengfei Qiu, Zhiwei Shan, Jun Jiang, Rongbin Li, Lidong Chen*, Jian He*, Xun Shi*,“Exceptional plasticity in the bulk single-crystalline van der Waals semiconductor InSe”, Science, 2020, 369, 542-545.  


近年授权专利:

1.Fabrication method for thermoelectric device(美国专利US8198116B2,授权日期20120612)  

2.A coating for thermoelectric materials and a device containing the same(欧洲专利EP2460182B1,授权日期20160113)  

3.一种多段结构宽温域热电发电器件及制备方法(中国专利201710961793.7,授权日期20200814)  

4.一种热电元件可靠性评价系统及方法(中国专利201510627115.8,授权日期20181204

5.一种锑化钴基热电元件及其制备方法(中国专利201610817232.5,授权日期20191115