忆阻器计算技术----高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室

SEMINAR

The State Key Lab of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure,

Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences

中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室

忆阻器计算技术

尚大山研究员

中国科学院微电子研究所

时间：2023年11月27日（星期一）上午 10:00

地点：嘉定园区F楼5（1）会议室

欢迎广大科研人员和研究生参与讨论！

联系人：陈立东（69163505）

报告摘要：

　　忆阻器是指器件的电阻在外电场作用下可被调节至多个电阻状态，并且对调节过程具有一定记忆能力的器件，既可以用于非易失性信息存储，又可以实现计算功能。通过制备大规模忆阻器阵列并开发相应的外围电路，忆阻器可用于执行具有存算一体范式的类脑计算，并在计算能效和面积上表现出优于传统冯？诺依曼架构系统的优势，从底层器件层面为研制高能效计算系统提供了新的硬件途径。本工作将介绍我们近5年来在忆阻器器件、算法和芯片等三个方面开展的系统研究。这些结果有望在人工智能芯片和智能传感等领域发挥重要的作用，解决未来信息化、智能化社会所面临的海量非结构化数据处理问题。

主讲人简介:

　　尚大山，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。2007年博士毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所，2007年8月至2009年6月任中国科学院物理研究所博士后; 2009年7月至2018年10月任中国科学院物理研究所副研究员，2011年至2014年先后在韩国国立首尔大学、德国亚琛工业大学和英国剑桥大学任博士后、洪堡学者和访问学者。多年来致力于忆阻器及其在信息存储和类脑计算中的应用，开展了面向物联网、边缘计算等领域的低能耗、可扩展的仿生信息处理系统应用的类脑计算器件、算法和芯片研究。先后主持或参与国家重点研发计划、科技创新2030、中科院战略先导科技专项(B类)和国家自然科学基金等项目，已在Nat. Mach, Intell.、Nat. Commun.、Adv. Mater.、IEEE Electro. Dev. Lett.、IEEE Trans. Circuits and Syst. II: Express Briefs等国际期刊以及VLSI、IEDM等国际会议发表论文140余篇。