刘桂玲   副研究员

　　先进碳化物陶瓷材料 

　　021-69906067 

　　glliu@mail.sic.ac.cn 

　　　  

　　教育经历： 

　　2000—2004，南京工业大学，材料科学与工程系，学士 

　　2004—2009，中国科学院上海硅酸盐研究所，材料学，博士 

　　  

　　工作经历： 

　　2009—2011，中国科学院上海硅酸盐研究所，结构陶瓷工程研究中心，助理研究员 

　　2011—至今，中国科学院上海硅酸盐研究所，结构陶瓷工程研究中心，副研究员 

　　  

　　曾获得奖励、荣誉称号： 

　　中国科学院上海硅酸盐研究所“优秀核算员”（2016年） 

　　建材行业标准创新二等奖（2015年） 

　　中国科学院上海硅酸盐研究所“优秀个人”（2014年） 

　　中国科学院上海硅酸盐研究所“质量管理先进个人”（2013年） 

　　  

　　科研工作简介： 

　　1、SiC光学部件的表面改性技术研究 

　　首次采用“压-张交变应力”叠层结构制备了高致密、强结合、低应力厚硅膜，成功应用于SiC光学部件的表面改性，抛光后表面粗糙度Ra<0.7nm，达到超光滑水平，首次实现了在固定激光波长>99.9%的高反射率，促进了SiC陶瓷在激光领域的应用。 

　　 

　　图1 叠层厚硅膜断面SEM图、抛光后AFM表面形貌、抛光后面形精度 

　　 

　　图2 硅膜的声发射信号曲线和相应的表面形貌照片：(a)VE；(b)PIAD 

　　  

　　 

　　图3 SiC光学部件反射率图谱、太空激光雷达系统中应用示意图 

　　  

　　2、 核能系统用耐高温、耐中子辐照SiC陶瓷研究 

　　创新性地采用碳热还原法原位引入AlN和C烧结助剂，常压烧结获得了致密度为99.1%的SiC陶瓷，解决了AlN-C体系SiC陶瓷难以致密的难题，获得了无B或稀土元素的SiC陶瓷，离子辐照试验结果表明该材料具有较好的耐辐照性能，在核能系统中有着重要的应用潜力。 

　　 

　　图4原位合成AlN和C烧结助剂的SiC粉体的表征：(a)SEM；(b)TEM和EDS 

　　 

　　图5 原位合成AlN制备的SiC陶瓷显微结构：(a)断面SEM，(b)抛光和腐蚀后表面SEM 

　　  

　　 

　　图6 原位合成AlN制备的SiC陶瓷的HRTEM照片及衍射斑点（～200nm范围内） 

　　  

　　 

　　图7 碳化硅陶瓷高能离子束辐照后造成的缺陷及损伤情况的TEM图（3.16dpa、0.95dpa） 

　　  

　　科研成果： 

　　1. Bizhe Su, Hanqin Liang, Guiling Liu*, Zhengren Huang*, Xuejian Liu, Zhongming Chen, Denis Y. W. Yu, Damage development of sintered SiC ceramics with the depth variation in Ar ion-irradiation at 600 ℃, Journal of the European Ceramic Society, 2018, 38(5): 2289-2296 

　　2. Yong Yang*, Junwei Zhang, Chaoli Fu, Guiling Liu, Yan Liu, Xiumin Yao, Xuejian Liu, Zhongmin Chen, Zhengren Huang, Deposition of thick Si coating with low residual stress on SiC ceramics by fabricating multilayer with compressive-tensile stress layer-pairs, Materials and Design, 2016, 107: 1-6 

　　3. Bizhe Su, Guiling Liu*, Zhengren Huang*, Hanqin Liang, Xuejian Liu, Zhongming Chen, The effect of in situ synthesized AlN on densification of SiC ceramics by pressureless sintering, Ceramics International, 2015, 41(10):14172-14178 

　　4. Guiling Liu*, Zhengren Huang, Jiehua Wu, Xuejian Liu, Surface morphology evolution and properties of silicon coating on silicon carbide ceramics by advanced plasma source ion plating, Surface and Coatings Technology, 2012, 207:204-210 

　　5. Guiling Liu, Zhengren Huang*, Xuejian Liu, Dongliang Jiang, Removal Behaviors of Different SiC Ceramics during Polishing, Journal of Materials Science and Technology, 2010, 26(2):125-130 

　　6. 刘桂玲，苏碧哲，黄政仁，刘学建，陈忠明，杨勇，姚秀敏，一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法，2015.6.12，中国，ZL201510323372.2 

　　7. 刘桂玲，苏碧哲，黄政仁，刘学建，陈忠明，杨勇，姚秀敏，一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，2015.6.12，中国，ZL201510323350.6 

　　  

　　详细介绍： 

　　http://www.sic.cas.cn/kybm/kybm3/yjly2/