随着半导体材料和微电子器件的快速发展，对其内部缺陷超高分辨无损检测和分析的需求日益迫切。此前，基于声、光、电信号响应，已开发了多种亚表面微结构成像表征技术。其中，电子束因为携带巨大动能和电荷，其与材料的作用微区约束在纳米尺度上，且穿透深度最高可达微米级，是理想的激励源之一，由此开发了包括电子束感生电流（EBIC）成像以及多种电子能谱等无损检测技术，但相关技术或存在分辨率低、或样品破坏性微加工以及微电极必需等特点，从而给半导体内部缺陷评价带来了相关局限。